米国政府は、国内外での半導体製造への投資を加速しており、同盟国とのパートナーシップに重点を置いている。今週、米国とインド政府は、インドのコルカタに新たな半導体工場を設立する重要な合意に達した。この施設では、赤外線、窒化ガリウム（GaN）、および炭化ケイ素（SiC）などの先進的な半導体の生産に焦点を当て、国家安全保障、次世代通信、クリーンエネルギーなどの分野を支援する予定である。
米印技術協力の強化 この事業は、米国宇宙軍、Bharat Semi、3rdiTech、インド半導体ミッションの支援を受けた広範な協力の一環である。インドの電子情報技術省（MIIT）が開始したこのミッションは、米国商務省の国際技術安全革新基金（ITSI）の支援を受けて、強固な半導体供給網を構築することを目指している。この基金は、米国の半導体生産を強化するために設計された「CHIPS and Science Act」の重要な取り組みの一つである。
さらに、コルカタの工場に加えて、米国のアナログ・デバイセズ社は、インドのタタ・エレクトロニクスとパートナーシップ契約を締結した。彼らの協力は、タタが計画している110億ドルの製造工場（グジャラート州）でのチップ製造に焦点を当てており、アッサム州では30億ドル規模のチップ組立およびテスト施設の設立も検討されている。さらに、米国のメーカーであるグローバルファウンドリーズ社は、Tagore Technology社の電力GaN知的財産を取得した後、コルカタにGaN技術のための「Power Centre」を設立する計画を発表した。
国内では、米国商務省が最近、Polar Semiconductor社に対し、ミネソタ州ブルーミントンでのシリコンウエハ製造を拡大するために最大1億2300万ドルの資金を割り当てた。これは、CHIPS Actの下で商業用チップ生産のための初の配分であり、4000億ドル以上の民間半導体投資と16州にわたる350億ドル以上の投資を引き起こした。
